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2024年6月18日消息，天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，晶科能源（上饒）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“四結(jié)晶硅太陽能電池與光伏組件“，公開號(hào)CN202410205442.3，申請(qǐng)日期為2024年2月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種四結(jié)晶硅太陽能電池與光伏組件，包括晶硅基底，晶硅基底的正面設(shè)有電極區(qū)域，電極區(qū)域依次層疊設(shè)置有第一擴(kuò)散層、第一隧穿介質(zhì)層和第一摻雜層，背面依次層疊設(shè)置有第二擴(kuò)散層、第二隧穿介質(zhì)層和第二摻雜層；第一摻雜層與第一擴(kuò)散層形成電子高低結(jié)，第一擴(kuò)散層與晶硅基底形成同向結(jié)，晶硅基底與第二擴(kuò)散層形成異向結(jié)，第二擴(kuò)散層與第二摻雜層形成空穴高低結(jié)。本申請(qǐng)通過電子高低結(jié)和空穴高低結(jié)的設(shè)置，提高了勢(shì)壘高度，較高的勢(shì)壘高度可以有效減少空穴從P型區(qū)域移動(dòng)至N型區(qū)域，減少電子與空穴的界面復(fù)合損失，促進(jìn)光生載流子的分離，即提高了四結(jié)晶硅太陽能電池的開路電壓的同時(shí)，電子傳輸、收集的效率高。 

原標(biāo)題：晶科能源申請(qǐng)四結(jié)晶硅太陽能電池與光伏組件專利，提高了四結(jié)晶硅太陽能電池的開路電壓的同時(shí)，電子傳輸、收集的效率高