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(GB/T 6618-2009)硅片厚度和總厚度變化測試方法
日期:2015-02-10   [復制鏈接]
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 7測量程序

 7.1測且環(huán)境條件

7.1.1溫度:18℃-28℃。

7.1.2濕度:不大于65%。

7.1.3潔凈度:10 000級潔凈室。

7.1.4具有電磁屏蔽,且不與高頻設備共用電源。

7.1.5工作臺振動小于0.5gn。

7.2儀器校正

7.2.1用一組厚度校正標準片(見5.2.5)置于厚度測量儀平臺或支架上進行測量。

7.2.2調整厚度測量儀,使所得測量值與厚度校正標準片的厚度標準值之差在2µm以內。

7.2.3以標稱厚度為橫坐標,測試值為縱坐標在坐標系上描點,通過兩個端點畫一條直線。在兩個端點畫出對應端點值±0.5%的兩個點,通過兩個+0.5%和一0.5%的點各畫一條限制線(如圖5所示),觀察描繪的點都落在限制線之內(含線上),就認為設備滿足測試的線性要求。否則應對儀器重新進行調整。


7.3測量校準

7.3.1用一塊與被測硅片厚度相差50μm之內的厚度標準片,置于厚度測量儀平臺或支架上進行測量。

7.3.2調整厚度測量儀,使所得測量值與該厚度校正標準片的厚度標準值之差在2μm以內即可。

7.4測且


7.4.1分立點式測量包括接觸式與非接觸式兩種。

7.4.1.1選取待測硅片,正面朝上放人夾具中,或置于厚度測量儀的平臺或支架上。

7.4.1.2將厚度測量儀探頭置于硅片中心位置(見圖1)(偏差在±2mm之內),測量厚度記為ti,即為
該片標稱厚度。(采用接觸式測量時,應翻轉硅片,重復操作,厚度記為tl 7,比較ti與ti'較小值為該片標稱厚度值。)

7.4.1.3移動硅片,使厚度測量儀探頭依次位于硅片上位置2.3.45(見圖1)(偏差在±2mm之內),測量厚度分別記為t2、t3、t4、t5。

7.4.2掃描式測量

7.4.2.1采用非接觸式測厚儀。如果還未組裝,將與被測硅片尺寸相對應的基準環(huán)裝配在平板上以及裝上相應的定位器,限制環(huán)移動,檢查探頭應在遠離操作者位置(見圖4)。

7.4.2.2把試樣放在支承柱上,使主參考面與參考面取向線平行,被測硅片的周界應與最靠近探頭停放位置的兩個定位銷貼緊。

7.4.2.3將厚度測量儀探頭置于硅片中心位置1(見圖1)(偏差在±2mm之內),測量厚度記為t,即為該片的標稱厚度。

7.4.2.4移動平板上的基準環(huán),直到探頭處于掃描開始位置為止。

7.4.2.5指示器復位。

7.4.2.6移動平臺上的基準環(huán),使探頭沿曲線和直線段1-7掃描(見圖2)。

7.4.2.7沿掃描路線,以μm為單位,記錄被測量點上、下表面的各自位移量。對于直接讀數儀器,記錄成對位移之和值的最大值與最小值之差,即為該硅片總厚度變化值。

7.4.2.8僅對仲裁性測量要重復7.4.2.5-7.4.2.7操作達9次以上。

7.4.2.9放置基準環(huán)使探頭處于停放位置,然后取出試樣。

7.4.2.10對每個測量硅片,進行7.4.2.2-7.4.2.9的操作步驟。
 
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