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1、串聯(lián)電阻值對弱光性能的影響

在PVsyst模型中，組件實際測試的串聯(lián)電阻值被定義為Series Resistance（apparent），簡寫為Rs（apparent），而SeriesResistance（module）為單二極管模型有關(guān)的電阻值，簡寫為Rs（module），這個值無法從組件的Datasheet得到，一般需要根據(jù)實際情況進(jìn)行調(diào)整。以XXX-240P多晶組件為例，在PVsyst默認(rèn)的組件PAN文件參數(shù)里面，該組件標(biāo)準(zhǔn)測試條件下的Rs（apparent）值為0.48Ω，Rs（module）為0.281Ω，標(biāo)準(zhǔn)測試條件下并聯(lián)電阻值Rsh（Gref）為250Ω。

現(xiàn)將Rsh（Gref）固定為250Ω，Rsh（0）默認(rèn)為Rsh(Gref)的4倍，Rsh（exp）=5.5，這里的Rsh（0）和Rsh（exp）會在第三部分詳細(xì)說明，假設(shè)Rs（module）值分別取為0.35Ω和0.413Ω，和默認(rèn)的0.281Ω進(jìn)行比較，使用PVsyst軟件可得到不同輻照度下組件的峰值功率和NOCT條件下組件的峰值功率Pmax，結(jié)果參考表1。

表1 XXX-240P組件在不同Rs（module）值和不同輻照度下的Pmax比較（Rsh（Gref）=250Ω）


圖3為不同Rs（module）值在不同輻照下的相對STC 時轉(zhuǎn)換效率，從表1和圖3模擬結(jié)果可知，和默認(rèn)值0.281Ω相比，適當(dāng)提高組件的Rs（module）值，可以提升弱光下的輸出性能。





圖3 不同Rs（module）值在不同輻照下的相對STC轉(zhuǎn)換效率比較（@Rsh（Gref）=250Ω）
表2為基于南京地區(qū)不同Rs（module）的組件系統(tǒng)弱光損失對比，當(dāng)Rs（module）以0.005Ω微小變化時，弱光損失的變化幅度約在0.1%左右，即說明了Rs（module）的微小變化對弱光損失的影響很大。

表2 XXX-240P組件系統(tǒng)取不同Rs（module）值的全年弱光損失比較（@Rsh（Gref）=250Ω，Pm=96kW）