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三、資源綜合利用及能耗

（一）光伏制造企業(yè)和項目用地應(yīng)符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節(jié)約集約用地。

（二）光伏制造項目能耗應(yīng)滿足以下要求：

1.現(xiàn)有多晶硅項目還原電耗小于65千瓦時/千克，綜合電耗小于120千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小于55千瓦時/千克，綜合電耗小于100千瓦時/千克；

2.現(xiàn)有硅錠項目平均綜合能耗小于8.5千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于7千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準單晶或高效多晶產(chǎn)品，項目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時/千克；

3.現(xiàn)有硅棒項目平均綜合能耗小于45千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于40千瓦時/千克；

4.現(xiàn)有多晶硅片項目平均綜合能耗小于45萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于40萬千瓦時/百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項目平均綜合能耗小于40萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于35萬千瓦時/百萬片；

5.電池項目平均綜合能耗小于10萬千瓦時/MWp；

6.晶硅電池組件項目平均綜合能耗小于6萬千瓦時/MWp；薄膜電池組件項目平均能耗小于50萬千瓦時/MWp。

（三）光伏制造項目生產(chǎn)水耗應(yīng)滿足以下要求：

1.多晶硅項目水循環(huán)利用率不低于95%；

2.硅片項目水耗低于1400噸/百萬片；

3.電池項目水耗低于1700噸/MWp。

（四）其他生產(chǎn)單耗需滿足國家相關(guān)標準。

四、環(huán)境保護

（一）新建和改擴建光伏制造項目應(yīng)嚴格執(zhí)行環(huán)境影響評價制度，未通過環(huán)境影響評價審批的項目不得開工建設(shè)。按照環(huán)境保護“三同時”要求，項目配套建設(shè)環(huán)境保護設(shè)施應(yīng)依法申請項目竣工環(huán)境保護驗收，驗收合格后方可投入生產(chǎn)運行。企業(yè)應(yīng)有健全的企業(yè)環(huán)境管理機構(gòu)，制定有效的企業(yè)環(huán)境管理制度，符合環(huán)保法律法規(guī)要求，依法獲得排污許可證，并按照排污許可證的要求排放污染物，定期開展清潔生產(chǎn)審核并通過評估驗收。

（二）廢氣、廢水排放應(yīng)符合國家和地方大氣及水污染物排放標準和總量控制要求；惡臭污染物排放應(yīng)符合《惡臭污染物排放標準》(GB14554)，工業(yè)固體廢物應(yīng)依法分類貯存、轉(zhuǎn)移、處置或綜合利用，企業(yè)危險廢物貯存應(yīng)符合《危險廢物貯存污染控制標準》（GB18597）相關(guān)要求，一般工業(yè)固體廢物貯存應(yīng)符合《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場污染控制標準》（GB18559）相關(guān)要求，SiCl4等危險廢物應(yīng)委托具備相應(yīng)處理能力的有資質(zhì)單位進行妥善利用或處置。廠界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標準》（GB12348）。

（三）鼓勵企業(yè)通過ISO14001環(huán)境管理體系認證、ISO14064溫室氣體核證、PAS2050/ISO/TS14067碳足跡認證。

（四）光伏制造項目應(yīng)按照環(huán)境影響報告書（表）及其批復(fù)、國家或地方污染物排放（控制）標準、環(huán)境監(jiān)測技術(shù)規(guī)范的要求，制定自行監(jiān)測方案，開展自行監(jiān)測工作，公開自行監(jiān)測信息。