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4、增加背場。可通過蒸鋁燒結、濃硼或濃磷擴散的工藝在晶體硅電池上制作背場。如在P型材料的電池中，背面增加一層P+濃摻雜層，形成P+/P的結構，在P+/P的界面就產(chǎn)生了一個由P區(qū)指向P+的內建電場，不但可建立一個與光生電壓極性相同的內建電場，提高電池的開路電壓，還能增加光生載流子的擴散長度，提高電池的短路電流，同時可降低電池背表面的復合率，提高電池的轉換效率。

5、改善襯底材料。使用高純的硅材料，可降低因晶體結構中缺陷所導致的光生載流子復合。比如，使用載流子壽命長、制結后硼氧反應小、電導率好、飽和電流低的n型硅材料制作高效電池。

當前高效晶硅電池生產(chǎn)技術

基于以上幾種提高晶體硅太陽電池轉換效率的工藝，目前在業(yè)界內應用較為廣泛的高效晶體硅太陽電池技術主要有：PERC電池技術、N型電池技術、IBC電池技術、MWT電池技術、HIT電池技術等。

“高效電池生產(chǎn)技術”主要技術內容：開發(fā)電池效率達到22%以上的高效電池生產(chǎn)技術，包括重點背場鈍化（PERC）電池、金屬穿孔卷繞（MWT）電池、N型電池、異質結電池（HIT）、背接觸電池（IBC）電池、疊層電池、雙面電池等，并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。