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通常情況下，組件需要從項目場地摘除，并運至實驗室進行EL成像和I–V曲線測量，但這些步驟現(xiàn)在可以在不拆除組件的情況下在現(xiàn)場完成。EL成像可在現(xiàn)場通過CCD(電荷耦合元件)攝像頭進行，同時在夜間對組件進行電壓偏置。IR成像則使用IR攝像頭進行，同時組件仍可在項目現(xiàn)場正常運行。但這種方式有可能出現(xiàn)準確性誤差，因為PID并不是造成太陽能電池出現(xiàn)高溫現(xiàn)象的唯一因素[15]。I–V曲線跟蹤器也可以在項目現(xiàn)場使用，但對每個組件進行單獨測試的過程極為耗時且昂貴。但是，早期診斷可有助于適當?shù)臏p緩技術的應用決定，并防止在設備使用生命周期內(nèi)出現(xiàn)進一步的性能及收益損失。

PID現(xiàn)象的緩解

在現(xiàn)場環(huán)境中，高溫高濕度狀況的偶爾出現(xiàn)，使得組件具有從PID狀況中恢復的實際。除了依賴有利的自然環(huán)境外，在系統(tǒng)、組件和電池層級上還有多種為減緩或防止PID狀況的解決方案正在研發(fā)之中。
在使用了傳統(tǒng)逆變器的系統(tǒng)中，將系統(tǒng)負極接地也有助于防止PID狀況的發(fā)生。SMA等公司還研發(fā)出offset box(彌轉盒)[17]，可通過非隔離型逆變器彌轉PID現(xiàn)象。通過將offset box與逆變器并聯(lián)，從而在系統(tǒng)上施加等量反極電壓，組件大多可以從所受的PID 影響中完全恢復。此外，PID狀況還可通過使用抗PID的密封產(chǎn)品，如Enlight聚丙烯封裝膜[18]、離子交聯(lián)聚合物膜、化學強化玻璃等，在組件層級進行減緩。

多家組件制造商均宣稱已研發(fā)出不受PID影響的組件，均已使用抗PID材料、防PID太陽能電池和封裝技術為基礎。此外，無框組件和雙玻組件也同樣被認為不會出現(xiàn)PID狀況，因為此類產(chǎn)品中并不存在造成高電勢差的路徑；但是，此類組件在進行支架安裝時所使用的金屬夾有可能對無PID特性造成負面影響。因此就需要對相關項目進行盡職調(diào)查，以確保所使用的材料清單及相關操作流程均為無PID類型，因此，可在整個系統(tǒng)層面上避免PID現(xiàn)象的發(fā)生[19]。在一些案例中，如果未被及時發(fā)現(xiàn)，或是由于電化學反應而造成，PID狀況有可能是不可逆轉的。為減少未來檢測和恢復成本，因此建議在條件允許的情況下，在現(xiàn)場安裝前對組件進行PID抗性測試。

PID易患性的預測性檢測

實驗室模擬環(huán)境中針對PID 的兩種主要檢測方式使用了環(huán)境模擬艙和鋁箔法。起初，PID測試是從IEC 61215標準中的濕熱測試演變而來，測試環(huán)境為85oC和85%RH。一些機構目前使用的是基于IEC62804 TS測試方式草稿而修改的測試方式。

測試將在60°C± 2°C、85% ± 3% RH的環(huán)境模擬艙內(nèi)進行96個小時，并施加-1000V或銘牌額定系統(tǒng)電壓值的電壓偏置；這一標準是基于NREL進行的循環(huán)對比測試結果而制定的[20]。Hacke等人[21]在報告中表明在高RH、85oC的溫度環(huán)境下，系統(tǒng)中會出現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象和串電阻損失，而這種條件無法模擬現(xiàn)場中實際發(fā)生的PID現(xiàn)象。此外，盡管100%濕度環(huán)境是作為理想的條件，但這一設置同時還可能由于環(huán)境模擬艙內(nèi)的冷凝而造成壓力，這一狀況時項目現(xiàn)場中不會出現(xiàn)的[22]。60oC、85%RH的測試條件因此被選為最具代表性的條件。