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7月27日，港股上市公司賽晶科技發(fā)布公告稱，公司控股子公司賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司（簡稱“賽晶半導體”）完成A輪融資。本次融資估值為投后27.2億元人民幣，由天津安晶企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)（有限合伙）、無錫河床潤玉創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）、無錫河床皓玉創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）、蘇州亞禾星恒創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）4家投資者合計出資人民幣1.6億元人民幣，占股比例5.88%。本次融資后，賽晶科技持股比例為70.53%。

值得一提的是，此次融資有回購條款，其中包括賽晶半導體于4年內(nèi)完成上市的條款。

賽晶半導體管理層介紹，本次融資所得資金，將重點用于本公司最新的IGBT模塊和SiC模塊生產(chǎn)線建設。其中，廠房內(nèi)部建設和設備采購已經(jīng)開始。此外，資金還將用于人才團隊的擴充，以及微溝槽IGBT芯片和SiC芯片等的研發(fā)。今年以來，已經(jīng)有多名具有國際知名半導體企業(yè)工作背景的國外技術(shù)專家陸續(xù)加入。公司將在下半年重點加強國外市場拓展，推動中國制造的精品半導體走向世界。

賽晶半導體成立于2019年。公司已經(jīng)推出的i20系列1200V、1700VIGBT芯片，采用窄臺面、短溝道、3D結(jié)構(gòu)、優(yōu)化N-型增強層和P+層等多項行業(yè)前沿設計，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能。公司已經(jīng)率先實現(xiàn)在12寸晶圓代工生產(chǎn)線量產(chǎn)IGBT芯片。

此外，賽晶半導體已經(jīng)推出的ED封裝、ST封裝IGBT模塊，采用顯著提升均流性能的“直線型”布局等多項優(yōu)化設計，并通過工業(yè)4.0的全自動智能制造工藝和質(zhì)量管理提升了產(chǎn)品電氣性能、可靠性、一致性。產(chǎn)品推出之后獲得了電動汽車、新能源發(fā)電，儲能、SVG及其他工控領域客戶的認可和批量訂單。基于市場拓展成果及客戶需求的快速增長，賽晶半導體將加快規(guī)劃中的第三、四條模塊生產(chǎn)線（分別為一個IGBT模塊和一個SiC模塊生產(chǎn)線）的建設和產(chǎn)能提升。

近期，賽晶半導體將陸續(xù)推出兩款車規(guī)級產(chǎn)品–HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊和IGBT模塊，以加強在電動汽車市場的產(chǎn)品布局。此外，微溝槽IGBT芯片、SiC MOSFET芯片的研發(fā)工作，也已經(jīng)啟動。

至2025年，全球功率半導體分立器件和模塊的市場規(guī)模將分別達到76億美元和113億美元。功率半導體前景廣闊，在汽車、充電樁及光儲等多輪驅(qū)動下，有望實現(xiàn)穩(wěn)健增長，為千億賽道奠定堅實路基。

我國在低端功率半導體領域已實現(xiàn)較高國產(chǎn)化率。但中高端產(chǎn)品領域，因壁壘較多，如車規(guī)SJMOSFET，IGBT和碳化硅碳化硅：BK0977 1190.95 0.45% +自選等，進口占比較高。在美制裁和缺芯的當下，實現(xiàn)車規(guī)功率半導體自主可控，有助于電動汽車供應鏈安全和穩(wěn)定。

原標題：賽晶半導體完成1.6億元人民幣融資，光伏儲能領域前景廣闊