1、盡量減少功率器件的數(shù)量,提高功率器件的開(kāi)關(guān)頻率,
2、盡量增加功率器件的數(shù)量,降低功率器件的開(kāi)關(guān)頻率。
你沒(méi)有看錯(cuò),這兩個(gè)貌似相互矛盾的方案,確是逆變器行業(yè)技術(shù)路線(xiàn)的真實(shí)寫(xiě)照。為什么是這種情況,逆變器的核心技術(shù)是熱設(shè)計(jì)技術(shù)和輸出電流諧波控制技術(shù),功率器件的開(kāi)關(guān)頻率越高,輸出波形就越好,但器件的損耗也越高,逆變器體積最大,最貴的兩種器件是散熱器和電感,它們的體積、成本,重量約占逆變器的30%左右,逆變器怎么降成本,怎么減少體積,都要在它們倆身上打主意。
要想減少散熱器的體積,就必須要減少功率器件的熱損耗,目前有兩種技術(shù)路線(xiàn):一是采用碳化硅材料的元器件,降低功率器件的內(nèi)阻,二是采用三電平,五電平等多電平電氣拓?fù)湟约败涢_(kāi)關(guān)技術(shù),降低功率器件兩端的電壓,降低功率器件的開(kāi)關(guān)頻率。電感是控制逆變器輸出波形最關(guān)鍵的硬件,要想減少電感的體積,就必須增加功率器件的開(kāi)關(guān)頻率。 功率開(kāi)關(guān)管的歷史:
第一代是可控硅,也稱(chēng)晶閘管(SCR),它只能控制器件導(dǎo)通,器件關(guān)通要靠主電路電壓反向來(lái)進(jìn)行,因此說(shuō)它是一種半控型器件,它的開(kāi)關(guān)容量大,能達(dá)到幾萬(wàn)安培,耐壓高,但驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)很復(fù)雜,器件的開(kāi)關(guān)頻率低,損耗也較大。第二代是GTR,是電流控制型雙極雙結(jié)電力電子器件,它具有開(kāi)關(guān)損耗小和阻斷電壓高的優(yōu)點(diǎn),但開(kāi)關(guān)頻率不高,驅(qū)動(dòng)電流較大。第三代是MOSFET,它是一種電壓控制型器件,控制功率極低,開(kāi)關(guān)頻率高,但輸出特性不好。第四代是絕緣柵晶體管(IGBT),它是一種用MOS柵控制的晶體管,它集中了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單和開(kāi)關(guān)頻率高,和MOSFET相似,輸出電流大和GTR相似,第五代是加入SIC碳化硅材料的MOSFET和IGBT以及碳化硅肖特基二極管。
碳化硅(SiC)器件屬于寬禁帶半導(dǎo)體組別,與常用硅(Si)器件相比,有許多優(yōu)勢(shì):一是耐高壓,碳化硅器件具備更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,最高耐壓可達(dá)10kV,比硅(Si)器件耐壓提高了幾倍;二是耐高溫,其最高結(jié)溫可達(dá)600度,而最新英飛凌的PrimePACK第四代IGBT,其最高結(jié)溫是175度;三是碳化硅器件開(kāi)關(guān)損耗非常低,非常適合用于高開(kāi)關(guān)頻率系統(tǒng),當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率大于20Khz時(shí),碳化硅器件損耗是硅IGBT的50%。IGBT+Si二極管的損耗,隨著頻率的改變損耗變化幅度非常大,而IGBT+SiC二極管的損耗,隨著頻率的變化改變不是很大。尤其是在16K到48K,其總損耗幾乎是線(xiàn)性的,增加幅度較小。
但是碳化硅也有缺點(diǎn),限制了它的應(yīng)用范圍,一是電流較小,迄今為止SiC MOSFET和肖特基二極管的最大額定電流小于100A,大功率逆變器用不上;二是產(chǎn)能不足,價(jià)格還比較貴;三是穩(wěn)定性和硅基IGBT相比還差一點(diǎn)。
軟開(kāi)關(guān)與多電平技術(shù)
軟開(kāi)關(guān)技術(shù)利用諧振原理,使開(kāi)關(guān)器件中的電流或者電壓按正弦或者準(zhǔn)正弦規(guī)律變化,當(dāng)電流自然過(guò)零時(shí),關(guān)斷器件;當(dāng)電壓自然過(guò)零時(shí),開(kāi)通器件。從而減少了開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)極大地解決了感性關(guān)斷,容性開(kāi)通等問(wèn)題。當(dāng)開(kāi)關(guān)管兩端的電壓或流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流為零時(shí)才導(dǎo)通或者關(guān)斷,這樣開(kāi)關(guān)管不會(huì)存在開(kāi)關(guān)損耗。
軟開(kāi)關(guān)諧振變換器是由電感、電容組成諧振電路,增加了很多器件,系統(tǒng)變得復(fù)雜,可靠性降低;由于光伏逆變器要保證功率因素為1,因此軟開(kāi)關(guān)技術(shù)只適合在前級(jí)DC-DC變換中用到,后級(jí)的DC-AC變換還需要多電平技術(shù)。
按照輸出電壓的電平數(shù),逆變器可以分為兩電平和多電平。兩電平換流器的主要優(yōu)點(diǎn)有:電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,電容器數(shù)量少,占地面積小。但由于兩電平逆變器器件需要承受的電壓高,因此開(kāi)關(guān)損耗較大,為了避免出現(xiàn)上述技術(shù)難題,多電平開(kāi)始出現(xiàn),并受到了越來(lái)越多的關(guān)注。所謂多電平是指輸出電壓波形中的電平數(shù)等于或者大于3的換流器,如三電平、五電平、七電平等。多電平換流器降低了兩電平對(duì)開(kāi)關(guān)器件兩端的電壓,可通過(guò)合適的調(diào)制方式減少開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)保持交流側(cè)較低的諧波。
兩電平與多電平優(yōu)點(diǎn):1)損耗對(duì)比,兩電平中主開(kāi)關(guān)承受電壓為為全部母線(xiàn)電壓,三電平為直流側(cè)電壓一半,五電平為直流側(cè)電壓四分之一,電壓的降低,帶來(lái)?yè)p耗的降低和可靠性增加。2)輸出諧波:輸出電平臺(tái)階越多,波形越趨近與正弦波,三電平系統(tǒng)相對(duì)于兩電平系統(tǒng),相當(dāng)于把開(kāi)關(guān)頻率提高一倍,五電平系統(tǒng)對(duì)兩電平系統(tǒng),相當(dāng)于把開(kāi)關(guān)頻率提高兩倍,后面的濾波電感容量就可以減少一到兩倍。
兩電平與多電平缺點(diǎn):三電平、五電平和兩電平器件數(shù)量相比,要多3倍到5倍,隨著器件的增加,主電路線(xiàn)路長(zhǎng),系統(tǒng)雜散電感增加,系統(tǒng)的可靠性降低,控制算法也變得很復(fù)雜。
綜合起來(lái),要想把逆變器體積降低,一個(gè)途徑是使用碳化硅材料的功率開(kāi)關(guān)器件,提高開(kāi)關(guān)頻率,降低電感的體積,但碳化硅目前技術(shù)還不是非常成熟,價(jià)格較貴,容量也比較小,應(yīng)用受到限制;另一個(gè)途徑是采用軟開(kāi)關(guān)和多電平技術(shù),可以降低器件的電壓,減少損耗,從而減少散熱器的體積,還可以間接提高開(kāi)關(guān)頻率,降低電感的體積,但是這個(gè)方案元器件增加幾倍,增加了系統(tǒng)的風(fēng)險(xiǎn)。
有沒(méi)有一種器件,既有碳化硅材料的低內(nèi)阻,還有三電平結(jié)構(gòu)的低電壓,整個(gè)系統(tǒng)的元器件還不能多,還要好安裝,好控制,可靠性也要好,而且價(jià)格也不能太貴。集成這么多優(yōu)勢(shì)的元器件到底有沒(méi)有?
你不是在做夢(mèng),這種功率器件還真有,它就是集成多個(gè)元器件的功率模塊。下圖是Vincotech公司推出用于光伏逆變器的功率模塊,它結(jié)構(gòu)緊湊,將多個(gè)分立器件集成到一個(gè)模塊中,減少了器件之間連線(xiàn)的寄生阻抗。功率模塊驅(qū)動(dòng)回路與主功率回路從不同的管腳分別引出,減少了IGBT主功率回路對(duì)驅(qū)動(dòng)回路的電磁干擾。模塊配置了NTC電阻,可以精準(zhǔn)地檢測(cè)模塊內(nèi)部溫度。 前級(jí)DC-DC電路 由2個(gè)高速I(mǎi)GBT、4個(gè)碳化硅二極管和一個(gè)溫度傳感器等7個(gè)元器件組成,包含雙路boost模塊,額定電流為50A,可以支持25kW的MPPT回路。
后級(jí)采用高效MNPC三電平IGBT模塊,由4個(gè)50-80A的IGBT組成,一個(gè)模塊相當(dāng)于8個(gè)分立器件。采用中點(diǎn)鉗位型的T型三電平結(jié)構(gòu),損耗低效率高,元器件承受的電壓低,壽命長(zhǎng)。
古瑞瓦特推出的Growatt 30-50KTL3-S系列,50-60HE系列,全部采用最先進(jìn)的功率模塊,結(jié)構(gòu)緊湊,運(yùn)行穩(wěn)定得到了客戶(hù)的高度評(píng)價(jià)。原標(biāo)題:光伏逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與功率器件的發(fā)展