成熟女人色惰片免费,成年男人看片免费视频播放人,00超粉嫩福利小视频,色欲网天天无码AⅤ视频,国产真实乱对白精彩,一进一出又大又粗爽视频,国产古代一级a毛片

掃描關(guān)注微信
知識庫 培訓(xùn) 招聘 項目 政策 | 推薦供應(yīng)商 企業(yè)培訓(xùn)證書 | 系統(tǒng)集成/安裝 光伏組件/發(fā)電板 光伏逆變器 光伏支架 光伏應(yīng)用產(chǎn)品
 
 
 
 
 
當(dāng)前位置: 首頁 » 資訊 » 知識 » 正文
 
晶硅PID組件弱光性能研究
日期:2014-05-27   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:sara 打印收藏評論(0)[訂閱到郵箱]
摘 要:PID(Potential Induced Degradation電勢誘導(dǎo)衰減)是一種因光伏組件負極和邊框及玻璃之間存在負偏置電壓而出現(xiàn)的電性能衰減現(xiàn)象。本文對PID 組件弱光性能的影響因素,戶外弱光下不同衰減程度PID組件和正常組件的開路電壓的表現(xiàn)進行了相應(yīng)的研究,得出了開路電壓和弱光輻照的對應(yīng)關(guān)系,旨在實際電站中如何快速有效地查找PID組件提供參考。
關(guān)鍵詞: 弱光性能;PID ;光伏組件;開路電壓

 
引言

光伏系統(tǒng)中組件的PID現(xiàn)象引起了整個光伏行業(yè)內(nèi)各企業(yè)、研究單位和相關(guān)測試機構(gòu)的廣泛關(guān)注,目前關(guān)于PID的形成機理、測試方法和條件等國內(nèi)外均展開了大量的研究和實驗,影響PID衰減的影響因素比較復(fù)雜,一般需要從環(huán)境、組件封裝材料和系統(tǒng)三方面綜合分析,高溫高濕的環(huán)境因素,玻璃表面的導(dǎo)電性、組件內(nèi)部材料的絕緣性能等均會影響PID發(fā)生的速率[1,2]。在系統(tǒng)層面而言,目前接地系統(tǒng)一般采取兩種形式,第一種是功能性地(Function grounded PV system),即光伏組件邊框、組串正極或負極接地,如薄膜組件目前都需要采用正極接地,以防TCO腐蝕。另一種為保護性接地(Ungrounded PV system),即光伏組件的邊框接地,而組件陣列的正極或負極均不接地[3,4],這種是目前普遍采用的方式,但晶硅組件負極(如P型電池組件)和接地邊框?qū)⒋嬖谝欢ǖ呢撈珘?,組件負偏壓的大小跟處在組串中的位置有關(guān),且越靠近組串負極的組件負偏壓越高,而且在潮濕的環(huán)境中,玻璃面的導(dǎo)電性增加,容易誘導(dǎo)發(fā)生PID現(xiàn)象[5]。

在實際電站中若發(fā)生了PID,對于業(yè)主和組件供應(yīng)商,都需要通過快速有效的方法排查PID組件,文獻中介紹的有使用手持EL測試、戶外IV測試、Dark -IV測試、紅外熱像儀、開路電壓測試等等方法[6],在這幾種方法中,開路電壓測試法由于其操作簡便、省時等特點較為常用,但此種方法并不適用與全天任何時間測試,需要尋找一個合適的時間點或輻照值作為參考進行操作。

本文基于晶硅組件的弱光效應(yīng)為出發(fā)點,結(jié)合PID組件的基本特點,通過對不同PID程度的組件和正常組件作為實驗對象,放置戶外弱光下對其進行開路電壓測試,得到了不同PID程度組件和正常組件的弱光性能的測試數(shù)據(jù),得到了些初步的結(jié)論,為在戶外對PID組件進行快速查找提供參考。

一.弱光效應(yīng)的分析

眾所周知,在國內(nèi)大部分地區(qū),戶外實際的太陽光輻射強度很難達到STC測試要求下的1000W/m2,因此組件在戶外下的實際輸出性能的表現(xiàn)和影響因素的分析顯得尤為重要,相關(guān)文獻理論模擬和測試機構(gòu)的實際測試結(jié)果均表明:組件的并聯(lián)電阻對弱光效應(yīng)的影響很大。如全球知名光伏機構(gòu)Photon Lab曾對來自超過100家制造商的170多個組件產(chǎn)品進行實地測試,其組件弱光性能可在發(fā)行的Photon雜志上查閱[7]。一般并聯(lián)電阻越低,其弱光效應(yīng)越差,Voc下降也就越明顯,而并聯(lián)電阻直接影響的是填充因子,因此組件的功率也將隨之越低,但在標準測試條件下(STC),Rsh的高低對其電性能相對于弱光下影響較小[8,9,10]。

在標準光強下并聯(lián)電阻對太陽能電池的影響如圖1所示,該圖采用數(shù)據(jù)來源于新南威爾士大學(xué)晶硅太陽電池[11],并以1cm2的面積為標準來討論,從圖可知當(dāng)并聯(lián)電阻在100Ω以下,對開路電壓的影響較大。圖2為不同Rsh值的電池片在弱光下對組件效率的影響[10],也從側(cè)面反映組件Rsh對弱光效應(yīng)的影響。
圖1 標準光強下并聯(lián)電阻對開路電壓的影響對比(T=300K)
圖2弱光下不同并聯(lián)電阻對電池效率的影響對比

二.實驗內(nèi)容

本部分以實際電站中的同批次245W普通多晶PID組件為例,按其測試好的電性能功率大小、Rsh和EL下的嚴重程度進行篩選,共計6片PID組件,并選擇2片正常組件作為參考組件進行實驗。

2.1 電性能測試結(jié)果

選擇的實驗對象組件如表1所示,從表1可知,在STC條件下的測試結(jié)果,PID組件1至PID組件6其衰減程度逐漸變大,功率和Rsh逐漸降低。和正常組件相比,Voc的差異并不明顯,最大差異約在3V左右,尤其是發(fā)生輕微PID的組件,如PID組件1和2,和正常組件相比,Voc差異非常小。
表1
表1 PID組件與正常組件電性能測試結(jié)果對比

2.2 EL測試結(jié)果

圖2為上述PID組件的EL圖像,一般的,PID組件的衰減從四周開始,四周的電池片比中間的電池片要嚴重很多,隨著衰減程度的增加,四周和中間電池片逐漸變黑。
圖2(a) PID組件1 圖2(b)PID組件2 圖2(c)PID組件3
圖2(d) PID組件4 圖2(e)PID組件5 圖2(f)PID組件6
2.3 戶外弱光測試結(jié)果

由于開路電壓和環(huán)境溫度、輻照度有一定的關(guān)系,我們將上述組件放置戶外,各組件傾角一致,玻璃面干凈,無遮擋。測試當(dāng)天天氣晴朗,測試從12:30至17:18。在測試中,我們使用萬用表測試Voc,輻照儀記錄輻照值,每塊組件同時測試,保證每塊組件的環(huán)境溫度、輻照一致,Voc值每塊組件采樣10個數(shù)據(jù),繪制曲線如圖3所示,對各組件進行橫向比較。
圖3 不同PID程度組件與正常組件弱光下開路電壓比較(測試時間:2014.3.5晴天)

我們發(fā)現(xiàn),隨著輻照度逐漸下降后,可看到PID組件呈現(xiàn)明顯的弱光效應(yīng)。當(dāng)輻照673W/m2降至643W/m2時,各組件的開路電壓差異較小,而當(dāng)輻照低于643W/m2后PID組件和正常組件的開路電壓差異開始慢慢變大。輻照值小于464.38W/m2,PID嚴重的組件(如PID3至PID6)和正常組件有明顯的差異,Voc衰減基本呈現(xiàn)線性關(guān)系,而正常組件從從始至終,電壓變化很小,基本維持在35V左右。同時PID1至PID6組件的并聯(lián)電阻是逐漸降低的,也反映出弱光下Voc大小和Rsh高低的變化關(guān)系。而Rsh相對較高的如PID1和PID2,在輻照325.65W/m2時和正常組件的差異開始變化,由于測試數(shù)據(jù)有限,需要通過擬合對輻照區(qū)間進行更細化的分析,我們對實測離散數(shù)據(jù)按照300W/m2以下進行擬合如圖4所示,對于PID2組件(Rsh低于100Ω以下),輻照低于300W/m2和正常組件有1.4V左右的差異,對于PID1組件(Rsh高于100Ω以上),輻照低于160W/m2以下和正常組件1約有1.5V左右的差異,擬合值參考表2。
圖4輻照度300W/m2以下的Voc擬合曲線對比
表2
表2 PID組件Voc電壓擬合值
三.討論

本文對不同PID衰減程度的組件在弱光下的開路電壓進行了測試和簡單分析,PID效應(yīng)導(dǎo)致組件并聯(lián)電阻降低后,將對弱光性能帶來較大影響,不同PID程度的組件因其并聯(lián)電阻的不同,其弱光性能具有明顯的差異性。根據(jù)戶外測試結(jié)果,我們發(fā)現(xiàn)對于嚴重PID組件(Rsh<50Ω),輕微PID組件(50Ω<Rsh<100Ω)和輕微PID組件(Rsh>100Ω),跟正常組件的Voc相比較,差值較為明顯時的輻照值分別為464.38W/m2,300W/m2和160W/m2。由于實際電站發(fā)生PID后,存在不同衰減程度的組件,因此在現(xiàn)場PID組件排查時,可選輕微PID組件(Pm衰減5%-10%左右)和正常組件的Voc變化明顯時所對應(yīng)的時間(或輻照度)作為參考測試時間(輻照度)。

四.參考文獻 
[1] Simon Koch, JulianeBerghold, ObinnaOkoroafor, Stefan Krauter and Paul Grunow, Encapsulation influence濜渀琀梔攀
potential induced degradation濜昀揜爀礀猀琀愀氀氀椀渀攀 silicon cells矜椀琀梔珜攀氀攀挀琀椀瘀攀 emitter structures僜爀漀挀. ,27th EU
PVSEC,Hamburg. Germany 2012.

[2]Koehl, M., Hoffmann, S., Effect of humidity and temperature on the potential-induced degradation,Progress In
Photovoltaics: Research And Applications,2012.

[3] Flicker J, Johnson J. Solar America Board for Codes and Standards [J]. 2013.

[4] Wiles, John. 1996. Photovoltaic Power Systems and The National Electrical Code: Suggested Practices.
SAND96-2797.Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM.

[5]S. Pingel et al., Potential Induced Degradation of Solar Cells and Panels[R]. Honolulu, 35th IEEE PVSC, 2010.

[6] F. Martínez-Moreno , E. Lorenzo , J. Mu濜稀 , R. Parra , T.Espino,On-site tests for the detection of potential
indeuced degradation in modules.

[7]Christian Haase,.ChristophPodewils, Weak-light behavior counts, Photon International, April, 2011, pp.148–151.

作者:江蘇舜天國際集團機械進出口股份有限公司光伏事業(yè)部 陳堅 陳建國 王希晨 莊榕玲

 
掃描左側(cè)二維碼,關(guān)注【陽光工匠光伏網(wǎng)】官方微信
投稿熱線:0519-69813790 ;投稿郵箱:edit@21spv.com ;
投稿QQ:76093886 ;投稿微信:yggj2007
來源:SOLARZOOM
 
[ 資訊搜索 ]  [ 加入收藏 ] [ 告訴好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 關(guān)閉窗口 ]

 
 

 
 
 
 
 
 
圖文新聞
 
熱點新聞
 
 
論壇熱帖
 
 
網(wǎng)站首頁 | 關(guān)于我們 | 聯(lián)系方式 | 使用協(xié)議 | 版權(quán)隱私 | 網(wǎng)站地圖 | 廣告服務(wù)| 會員服務(wù) | 企業(yè)名錄 | 網(wǎng)站留言 | RSS訂閱 | 蘇ICP備08005685號