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編者按：1月初，阿特斯集團(tuán)公司發(fā)布新聞宣布，成功向全球市場(chǎng)累計(jì)交付2.6吉瓦阿特斯抗LeTID高效PERC組件。這是阿特斯在開(kāi)發(fā)和提供高效率、高質(zhì)量、高附加值太陽(yáng)能組件產(chǎn)品方面不斷努力，并取得突破性成果的一個(gè)重要里程碑。

LeTID (Lightand elevated Temperature Induced Degradation)，業(yè)界稱(chēng)為“光照和高溫誘導(dǎo)衰減”，或者叫“光熱衰減”。名稱(chēng)有些拗口，但是值得大家花些時(shí)間去了解它，因?yàn)樗鼤?huì)極大地影響你的太陽(yáng)能組件和電站發(fā)電性能。

光伏行業(yè)對(duì)LID(Light Induced Degradation)，也就是“光致衰減”現(xiàn)象已經(jīng)很了解。通常情況下，只要光伏組件暴露在陽(yáng)光下就會(huì)發(fā)生LID(光致衰減)，在短時(shí)間(幾天或幾周)內(nèi)就能達(dá)到飽和的衰減。行業(yè)對(duì)于LID(光致衰減)的研究也已經(jīng)非常充分，產(chǎn)生機(jī)制也獲得一致認(rèn)可，主要是硅材料內(nèi)的硼氧缺陷。因?yàn)榫w生長(zhǎng)方法的差異，單晶硅材料內(nèi)間隙氧含量遠(yuǎn)高于多晶，從而LID衰減也遠(yuǎn)高于多晶。兩到三年前PERC技術(shù)的推廣還受限于LID(光致衰減)，隨著抗LID衰減技術(shù)的突破使LID得到比較有效的控制，加之設(shè)備的廣泛應(yīng)用，PERC技術(shù)得以大規(guī)模導(dǎo)入。

然而LeTID衰減機(jī)制不同，它通常發(fā)生在光照和高溫(> 50°C)兩個(gè)條件同時(shí)滿足的情況下，并且LeTID對(duì)于PERC組件的發(fā)電量影響很大。PERC組件在實(shí)驗(yàn)室的測(cè)試條件和電站實(shí)際工作環(huán)境中都存在LeTID(光熱衰減)現(xiàn)象。在組件工作溫度超過(guò)50°C時(shí)，不論是單晶還是多晶PERC組件都會(huì)發(fā)生LeTID(光熱衰減)，衰減率最高可達(dá)10%。

阿特斯技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)多年對(duì)材料、工藝和生產(chǎn)設(shè)備的長(zhǎng)期深入研究，開(kāi)發(fā)出了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的LeTID控制技術(shù)。這使得阿特斯成為少數(shù)幾家掌握了在大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中降低和控制LeTID技術(shù)的太陽(yáng)能電池和組件制造商之一。

新南威爾士大學(xué)(Universityof New South Wales，簡(jiǎn)稱(chēng)UNSW) 2018年11月發(fā)布的一份研究報(bào)告顯示，阿特斯基于黑硅和多晶PERC技術(shù)的P4組件的開(kāi)路電壓(Voc)在166小時(shí)的輻照、75°C測(cè)試條件下，只有0.3%的衰減。這個(gè)測(cè)試結(jié)果佐證了阿特斯P4組件優(yōu)異的抗LeTID衰減性能。

所以下次當(dāng)您再購(gòu)買(mǎi)PERC太陽(yáng)能組件時(shí)，無(wú)論單晶還是多晶，請(qǐng)務(wù)必先了解制造商對(duì)LeTID的重視和了解程度。同時(shí)可以問(wèn)問(wèn)他們?nèi)绾慰刂坪徒鉀QLeTID問(wèn)題，并請(qǐng)他們向您展示一些可信的第三方測(cè)試報(bào)告。幾年后你將會(huì)為此感到慶幸。

原標(biāo)題：瞿曉鏵: PERC組件的LeTID問(wèn)題不可忽視!