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編者按：第46屆PVSC光伏專家大會(huì)授予漢能美國(guó)子公司Alta Devices聯(lián)合創(chuàng)始人、漢能集團(tuán)科學(xué)家Harry Atwater教授“William R. Cherry光伏榮譽(yù)獎(jiǎng)”。









中新網(wǎng)4月3日電 日前，電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)公布，第46屆PVSC光伏專家大會(huì)授予漢能美國(guó)子公司Alta Devices聯(lián)合創(chuàng)始人、漢能集團(tuán)科學(xué)家Harry Atwater教授“William R. Cherry光伏榮譽(yù)獎(jiǎng)”。

William R. Cherry是光伏界的創(chuàng)始人之一，以他的名字設(shè)立的William R. Cherry 獎(jiǎng)創(chuàng)建于1980年，是業(yè)內(nèi)最高級(jí)別學(xué)術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)旨在表彰投身并致力于在提高光伏能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域、做出重大科技貢獻(xiàn)并極力倡導(dǎo)推廣相關(guān)科技的工程師或科學(xué)家個(gè)人。


這也是繼2017年Alta Devices聯(lián)合創(chuàng)始人、集團(tuán)資深專家Eli Yablonovitch教授因?qū)?a href="http://m.xivipbz.cn/news/search.php?kw=%E5%A4%AA%E9%98%B3%E8%83%BD%E7%94%B5%E6%B1%A0%E5%99%A8%E4%BB%B6&fields=0&catid=0&order=0&x=50&y=22">太陽(yáng)能電池器件物理科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域做出杰出貢獻(xiàn)，在第44屆PVSC大會(huì)上捧得William R. Cherry大獎(jiǎng)之后，漢能科學(xué)家再獲國(guó)際殊榮。一個(gè)團(tuán)隊(duì)兩位重量級(jí)專家相繼獲得PV領(lǐng)域的權(quán)威大獎(jiǎng)，充分證明了漢能Alta Devices在該領(lǐng)域的全球技術(shù)領(lǐng)先地位。

此次被提名的Harry Atwater是加州理工學(xué)院應(yīng)用物理和材料科學(xué)霍華德•修斯教授(Howard Hughes Professor)，是位于加州圣克拉拉的太陽(yáng)能公司Alta Devices的聯(lián)合創(chuàng)建人之一。而Yablonovitch教授還憑借杰出的科研成就當(dāng)選為美國(guó)國(guó)家工程院、國(guó)家科學(xué)院、美國(guó)藝術(shù)與科學(xué)院院士，是倫敦皇家學(xué)會(huì)的外籍成員，并獲得了其他多項(xiàng)著名獎(jiǎng)項(xiàng)。他與Harry Atwater教授等聯(lián)合創(chuàng)建了Alta Devices公司，致力于探索薄膜太陽(yáng)能技術(shù)的科研與應(yīng)用。

2014 年，漢能全資并購(gòu)了位于美國(guó)加州的Alta Devices，后者成為漢能旗下子公司。漢能Alta Devices致力于砷化鎵(GaAs)移動(dòng)能源技術(shù)，具有高轉(zhuǎn)換效率，配以輕、薄、柔的特性，使薄膜太陽(yáng)能芯片能夠在不影響設(shè)計(jì)外觀的情況下，廣泛應(yīng)用于汽車、無(wú)人機(jī)、無(wú)人駕駛系統(tǒng)、衛(wèi)星、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、傳感器、遠(yuǎn)程探測(cè)等各類應(yīng)用領(lǐng)域。

如今，漢能Alta Devices研發(fā)的高轉(zhuǎn)換率砷化鎵薄膜太陽(yáng)能電池已被波音公司、美國(guó)宇航局等先后應(yīng)用于平流層永飛無(wú)人機(jī)以及國(guó)際空間站太陽(yáng)能利用測(cè)試，這一技術(shù)路線的商業(yè)化潛力備受矚目。隨著技術(shù)研發(fā)的持續(xù)突破以及商用產(chǎn)業(yè)化的不斷探索，Alta Devices也將為漢能在全球范圍內(nèi)推廣薄膜太陽(yáng)能技術(shù)、推動(dòng)移動(dòng)能源革命，提供更強(qiáng)大的技術(shù)支撐，奠定更加堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

至此，漢能砷化鎵雙結(jié)太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換率最高達(dá)到31.6%，并同時(shí)擁有砷化鎵單結(jié)太陽(yáng)能電池效率29.1%和組件效率25.1%兩項(xiàng)世界紀(jì)錄，其中單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率的世界紀(jì)錄在2010 年被Alta Devices突破，并連續(xù)6 次被其團(tuán)隊(duì)刷新，進(jìn)一步奠定了漢能在高效太陽(yáng)能薄膜電池領(lǐng)域的絕對(duì)領(lǐng)先地位。

自2009年進(jìn)入薄膜太陽(yáng)能領(lǐng)域以來(lái)，漢能就一直專注于核心技術(shù)的突破。漢能創(chuàng)始人李河君認(rèn)識(shí)到，未來(lái)能源的競(jìng)爭(zhēng)是核心技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)，誰(shuí)掌握了核心技術(shù)，誰(shuí)就掌握了能源。通過(guò)消化整合和自主創(chuàng)新，獨(dú)占技術(shù)鰲頭的漢能牢牢掌握了薄膜太陽(yáng)能的科技話語(yǔ)權(quán)。此外，漢能還擁有包括優(yōu)秀科學(xué)家在內(nèi)的全球薄膜太陽(yáng)能技術(shù)人員超過(guò)2000名，其中包括一大批國(guó)內(nèi)外先進(jìn)半導(dǎo)體和太陽(yáng)能領(lǐng)域的科學(xué)家。

此次，漢能Alta Devices資深專家再次獲業(yè)內(nèi)最高級(jí)別獎(jiǎng)項(xiàng)是對(duì)漢能薄膜太陽(yáng)能技術(shù)全球領(lǐng)先性的充分肯定，漢能已經(jīng)成為全球薄膜太陽(yáng)能行業(yè)引領(lǐng)者，其不僅在技術(shù)上引領(lǐng)行業(yè)變革，還在技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用上也達(dá)到了世界級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。未來(lái)漢能將繼續(xù)以薄膜太陽(yáng)能技術(shù)為核心，用更多元化創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品引領(lǐng)一場(chǎng)全球范圍內(nèi)的能源利用革命。

據(jù)了解，Harry Atwater教授的科學(xué)研究主要圍繞兩大領(lǐng)域：光伏太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換和材料中的光物質(zhì)相互作用。他創(chuàng)造了新的高效太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)，并開(kāi)創(chuàng)了太陽(yáng)能電池的光管理原則；同時(shí)，他也是納米光子學(xué)和等離子體物理學(xué)的早期先驅(qū)。IEEE PVSC官網(wǎng)顯示，過(guò)去35年里，從第一篇論文《通過(guò)區(qū)域熔融結(jié)晶形成硅吸收器》(1982年)到最近關(guān)于光譜分裂實(shí)現(xiàn)超高效模塊的光學(xué)技術(shù)研究，Harry Atwater教授在過(guò)去長(zhǎng)達(dá)35年的科研生涯中始終對(duì)光伏領(lǐng)域充滿熱情，累計(jì)發(fā)表450多份出版物并通過(guò)PVSC和EDS等平臺(tái)為光伏科學(xué)和技術(shù)做出杰出貢獻(xiàn)。Harry Atwater教授的“創(chuàng)造力得到了廣泛的認(rèn)可，他帶來(lái)的價(jià)值似乎沒(méi)有邊界”。

Eli Yablonovitch教授在光伏研究中引入了4(n squared)(“Yablonovitch極限”)的光捕獲因子，這種因子在全球范圍內(nèi)廣泛應(yīng)用于幾乎所有商用太陽(yáng)能電池板。他還發(fā)表了關(guān)于太陽(yáng)能電池基本效率限制的研究，并為硅和砷化鎵開(kāi)發(fā)了新的表面鈍化處理技術(shù)。 由于引入了應(yīng)變半導(dǎo)體激光器由于價(jià)帶(空穴)有效質(zhì)量降低而具有優(yōu)越性能的想法，因此他被認(rèn)為是光子帶隙概念之父，并創(chuàng)造了“光子晶體”一詞。第一個(gè)實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)的光子帶隙幾何結(jié)構(gòu)，有時(shí)也按他的姓氏被稱為“Yablonovite”。 

原標(biāo)題：漢能科學(xué)家再獲全球光伏榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng)