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1.0緒論

近年來(lái)，單晶硅片供應(yīng)商為了利益最大化，奉行只要單晶不掉苞就是好工藝。無(wú)位錯(cuò)拉晶工藝要求籽晶用無(wú)位錯(cuò)拉晶切割，在拉晶過(guò)程中下種引頸長(zhǎng)度要大于一個(gè)晶錠直徑才能把位錯(cuò)排凈，方可放肩。而現(xiàn)在引頸長(zhǎng)度120-140mm完全低于6吋直徑150mm單晶。另外，單晶收尾時(shí)鍋底料要保證是投料量的10%左右，現(xiàn)在單晶供應(yīng)商恨不得把坩堝內(nèi)料全部拉完提盡。殊不知想多提走一點(diǎn)鍋內(nèi)料時(shí)，已造成坩堝內(nèi)熔體過(guò)冷，一旦材料過(guò)冷必然掉苞。看起來(lái)完整收尾，實(shí)際早已掉苞，這樣上返一個(gè)直徑的單晶已是位錯(cuò)片。供應(yīng)商把這些位錯(cuò)片完全輕而易舉轉(zhuǎn)嫁給用戶(hù)。

2.0黑斑片

電致發(fā)光EL（Electroluminescence）照片中黑心片和黑斑片是反映在通電情況下該部分沒(méi)有發(fā)出1150nm的紅外光，故紅外相片中反映出黑心和黑斑。發(fā)光現(xiàn)象和硅襯底少數(shù)載流子濃度有關(guān)。


組件電性能測(cè)試如下圖所示。由圖可見(jiàn)，組件短路電流Isc（4.588A）和最大功率Pmax（143.028W）明顯偏低；此類(lèi)正常組件短路電流Isc一般為5.2A，最大功率Pmax一般為175W以上。說(shuō)明組件中存在著大量低效率電池片，導(dǎo)致組件功率的嚴(yán)重下降。