5.0測試暗電流的目的
(1) 防止擊穿
如果電池片做成組件時(shí),電池片的正負(fù)極被接反,或者組件被加上反偏電壓時(shí),由于電池片的暗電流過大,電流疊加后會(huì)迅速的將電池片擊穿,不過這樣的情況很少發(fā)生,所以測試暗電流在這方面作用不是很大。
(2)監(jiān)控工藝
當(dāng)電池片工藝流程結(jié)束后,可以通過測試暗電流來觀察可能出現(xiàn)的工藝的問題,前面說過,暗電流是由反向飽和電流和薄層漏電流以及體漏電流組成的,分別用J1,J2,J3表示,當(dāng)我們給片子加反偏電壓時(shí),暗電流隨電壓的升高而升高,分3個(gè)區(qū),1區(qū)暗電流由J2起支配作用,2區(qū)由J3起支配作用,3區(qū)由J1起支配作用,3個(gè)區(qū)的分界點(diǎn)由具體的測試電壓而決定的。為什么暗電流會(huì)隨電壓升高而增大呢?當(dāng)有電壓加在片子上時(shí),對硅片有了電注入,電注入激發(fā)出非平衡載流子,電壓越大激發(fā)的非平衡載流子越多,形成的暗電流越大,暗電流的增長速度隨電壓越大而變慢,直到片子被擊穿。一般我們測試暗電流的標(biāo)準(zhǔn)電壓為12V,測得的曲線和標(biāo)準(zhǔn)的曲線相比后,可以的出片子的基本情況。如在1區(qū)發(fā)現(xiàn)暗電流過大則對應(yīng)的薄層區(qū)出了問題,2區(qū)暗電流過大,說明問題出在體區(qū),同樣3區(qū)出現(xiàn)問題,說明PN做的有問題,擴(kuò)散,絲網(wǎng)印刷,溫度等參數(shù)都會(huì)影響暗電流,只要知道哪出了問題,就可以根據(jù)這去找出問題的原因,所以測試暗電流對工藝的研究是很有用的。(作者微信公眾賬號:
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