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微隱裂引起的點(diǎn)狀燒穿主要是因?yàn)楣杵旧砭w結(jié)構(gòu)存在缺陷，在燒結(jié)過(guò)程中會(huì)破壞晶體結(jié)構(gòu)，銀漿順著晶界滲透至基區(qū)，從而產(chǎn)生漏電。我們通常也稱(chēng)此現(xiàn)象為微隱裂。判斷是硅片本身的缺陷還是晶體硅電池生產(chǎn)過(guò)程中導(dǎo)致的點(diǎn)狀燒穿，我們需要借助掃描電鏡進(jìn)行分析。

由掃描電鏡即掃描電子顯微鏡（ScanningElectronMicroscope，簡(jiǎn)稱(chēng)SEM），主要用于觀察樣品的表面形貌、割裂面結(jié)構(gòu)、管腔內(nèi)表面的結(jié)構(gòu)等，所獲得的圖像立體感強(qiáng)，可用來(lái)觀察樣品的各種形貌特征。

由SEM圖片可知：微隱裂正面與背面均存在凹槽缺陷，導(dǎo)致點(diǎn)狀燒穿，如圖5所示。對(duì)于此類(lèi)由晶體缺陷引起的點(diǎn)狀燒穿，如果要降低其產(chǎn)生的可能性，則需要在進(jìn)料時(shí)加一道檢測(cè)工序，測(cè)量每片原料片的少子壽命分布，剔除異常片。但該工序費(fèi)時(shí)費(fèi)力，可行性有待進(jìn)一步商榷。
3、擦片或漏漿造成的漏電

擦片主要是指在印刷過(guò)程中出現(xiàn)的印刷不良片用酒精等將柵線(xiàn)擦拭干凈后重新印刷的電池片。這些電池片如果沒(méi)有處理好，可以看到如圖6所示的形貌。在顯微鏡下觀察可以看到還有部分漿料殘留在硅片表面，IR圖像顯示有大面積漏電，EL圖像顯示表面有大面積污染，

SEM圖像顯示可以看到密密麻麻的細(xì)點(diǎn)，這些細(xì)點(diǎn)即為銀漿，在擦片的過(guò)程中銀漿滲進(jìn)電池片里；小顆粒銀漿是團(tuán)狀銀漿在燒結(jié)過(guò)程中形成玻璃態(tài)造成的大面積漏電。
造成擦片漏電的原因主要為人為操作不規(guī)范導(dǎo)致的，1）人為的擦片破壞Si3N4膜面，使Si3N4鈍化效果失效；2）絨面凸起部分在人為摩擦過(guò)程中極易受損，使電池片p型裸露，印刷后直接與金屬電極導(dǎo)通發(fā)生短路；

3）即使擦片后表觀看來(lái)已無(wú)漿料，但仍會(huì)有少量漿料殘留在絨面凹陷處，燒結(jié)后成為金屬?gòu)?fù)合中心，降低少子壽命，漏電明顯增大；4）擦片過(guò)程中難免使電池片四周沾到漿料，造成pn結(jié)導(dǎo)通，發(fā)生漏電。

漏漿主要包含邊緣漏漿和表面漏漿兩種，邊緣漏漿是指電池片四周沾到漿料，造成pn型導(dǎo)通，發(fā)生漏電如圖7所示；邊緣漏漿和刻蝕不完全只看IR圖像很難區(qū)分，必須在SEM或者基恩士下觀察方能準(zhǔn)確判斷。