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【干貨】晶硅光伏電池漏電的主要因素分析
日期:2016-01-28   [復(fù)制鏈接]
責(zé)任編輯:luyulian 打印收藏評(píng)論(0)[訂閱到郵箱]


表面漏漿是指電池片在印刷前有隱裂,印刷時(shí)隱裂處沾染上鋁漿,燒結(jié)時(shí)鋁漿隨銀漿一起被燒進(jìn)PN結(jié),而導(dǎo)致PN結(jié)被燒穿,引起的漏電如圖8所示。平面圖上明顯看到漿料(紅色線條包圍的區(qū)域),這些漿料以鋁漿為主。

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4、其他原因造成的漏電

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Si3N4顆粒有可能造成漏電如圖9所示,Si3N4顆粒主要來(lái)源:1)鑄造多晶硅時(shí)在坩堝表面噴涂的Si3N4脫落融入硅錠所致;2)鍍膜時(shí)SiH4的含量偏高,形成Si3N4顆粒。Si3N4顆粒的晶粒貫穿電池片的層錯(cuò),使PN結(jié)導(dǎo)通而導(dǎo)致漏電。

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晶界缺陷有可能造成漏電如圖10所示,其原因主要為1)雜質(zhì)原子容易在晶界位置集中,形成各類缺陷和復(fù)合中心;2)高溫?cái)U(kuò)散的原子也容易沿著位錯(cuò)和晶界形成微小的橋路漏電。

三、結(jié)論

分析了晶體硅硅片及電池生產(chǎn)階段可能產(chǎn)生的漏電原因及預(yù)防措施。在電池生產(chǎn)過程中產(chǎn)生漏電的主要原因?yàn)椋?)刻蝕不完全或未刻蝕2)點(diǎn)狀燒穿3)印刷擦片或漏漿等,嚴(yán)重影響電池片的品質(zhì)。在分析過程中還發(fā)現(xiàn)Si3N4顆粒、多晶晶界等也有可能造成電池片漏電,在以后的研究中也需要重點(diǎn)關(guān)注。  
 
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