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【發(fā)布單位】中華人民共和國(guó)商務(wù)部
【發(fā)布文號(hào)】公告2014年第4號(hào)
【發(fā)布日期】2014-01-20

　　根據(jù)《中華人民共和國(guó)反補(bǔ)貼條例》（以下簡(jiǎn)稱《反補(bǔ)貼條例》）的規(guī)定，2012年7月20日，商務(wù)部（以下稱調(diào)查機(jī)關(guān)）發(fā)布年度第41號(hào)公告，決定對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅（以下稱被調(diào)查產(chǎn)品）進(jìn)行反補(bǔ)貼立案調(diào)查。該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國(guó)進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號(hào)項(xiàng)下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級(jí)多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。

　　調(diào)查機(jī)關(guān)對(duì)被調(diào)查產(chǎn)品是否存在補(bǔ)貼及補(bǔ)貼金額、中國(guó)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)是否受到損害及損害程度以及補(bǔ)貼與損害之間的因果關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查。根據(jù)調(diào)查結(jié)果和《反補(bǔ)貼條例》第二十五條的規(guī)定，2013年9月16日，調(diào)查機(jī)關(guān)發(fā)布初裁公告，認(rèn)定被調(diào)查產(chǎn)品存在補(bǔ)貼，中國(guó)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)受到了實(shí)質(zhì)損害，而且補(bǔ)貼與實(shí)質(zhì)損害之間存在因果關(guān)系。

　　初步裁定后，調(diào)查機(jī)關(guān)繼續(xù)對(duì)補(bǔ)貼和補(bǔ)貼金額、損害和損害程度以及補(bǔ)貼與損害之間的因果關(guān)系進(jìn)行調(diào)查?，F(xiàn)本案調(diào)查結(jié)束，根據(jù)調(diào)查結(jié)果，并依據(jù)《反補(bǔ)貼條例》第二十六條的規(guī)定，調(diào)查機(jī)關(guān)作出最終裁定（見附件）。現(xiàn)將有關(guān)事項(xiàng)公告如下：

　　一、最終裁定

　　經(jīng)過調(diào)查，調(diào)查機(jī)關(guān)最終裁定，在本案調(diào)查期內(nèi)，被調(diào)查產(chǎn)品存在補(bǔ)貼，中國(guó)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)受到實(shí)質(zhì)損害，而且補(bǔ)貼與實(shí)質(zhì)損害之間存在因果關(guān)系。

　　二、被調(diào)查產(chǎn)品范圍及措施范圍

　　本案被調(diào)查產(chǎn)品及實(shí)施措施產(chǎn)品的具體描述如下：

　　調(diào)查和措施范圍：原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。

　　被調(diào)查產(chǎn)品名稱：太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。

　　被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的，用于生產(chǎn)晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。

　　被調(diào)查產(chǎn)品電學(xué)參數(shù)為：基磷電阻率<300歐姆∙厘米（Ω cm）；基硼電阻率<2600歐姆∙厘米（Ω cm）；碳濃度（at/cm3）；n型少數(shù)載流子壽命<500μs；施主雜質(zhì)濃度;受主雜質(zhì)濃度。

　　主要用途：主要用于太陽(yáng)能級(jí)單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)，是生產(chǎn)晶體硅光伏電池的主要原料。

　　該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國(guó)進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號(hào)項(xiàng)下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級(jí)多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。

　　三、征收反補(bǔ)貼稅

　　根據(jù)《反補(bǔ)貼條例》的有關(guān)規(guī)定，調(diào)查機(jī)關(guān)向國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)提出對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅征收反補(bǔ)貼稅的建議。國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)根據(jù)調(diào)查機(jī)關(guān)的建議作出決定，自2014年1月20日起，對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅征收反補(bǔ)貼稅。對(duì)各公司征收的反補(bǔ)貼稅稅率如下：

　　1.赫姆洛克半導(dǎo)體公司 2.1%

　?。℉emlock Semiconductor Corporation）

　　2.REC太陽(yáng)能級(jí)硅有限責(zé)任公司 0%

　?。≧EC Solar Grade Silicon LLC）

　　3.REC先進(jìn)硅材料有限責(zé)任公司 0%

　　（REC Advanced Silicon MaterialsLLC）

　　4.MEMC帕薩迪納有限公司 0%

　?。∕EMC Pasadena,Inc.）

　　5.AEPolysilicon Corporation 2.1%

　　6.其他美國(guó)公司（All Others） 2.1%

　　在補(bǔ)貼調(diào)查期內(nèi)，原產(chǎn)于REC太陽(yáng)能級(jí)硅有限責(zé)任公司的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品從價(jià)補(bǔ)貼率為0.2%，屬于微量補(bǔ)貼；原產(chǎn)于REC先進(jìn)硅材料有限責(zé)任公司和MEMC帕薩迪納有限公司的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品均未獲得補(bǔ)貼。原產(chǎn)于此三家公司的進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品適用的反補(bǔ)貼稅稅率為0%。

　　四、征收反補(bǔ)貼稅的方法

　　自2014年1月20日起，進(jìn)口經(jīng)營(yíng)者在進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品時(shí)，應(yīng)向中華人民共和國(guó)海關(guān)繳納相應(yīng)的反補(bǔ)貼稅。反補(bǔ)貼稅以海關(guān)審定的完稅價(jià)格從價(jià)計(jì)征，計(jì)算公式為：反補(bǔ)貼稅額=海關(guān)完稅價(jià)格×反補(bǔ)貼稅稅率，進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅以海關(guān)審定的完稅價(jià)格加上關(guān)稅和反補(bǔ)貼稅作為計(jì)稅價(jià)格從價(jià)計(jì)征。

　　五、反補(bǔ)貼稅的追溯征收

　　對(duì)自2013年9月20日起至2014年1月19日止，有關(guān)進(jìn)口經(jīng)營(yíng)者依初裁公告向中華人民共和國(guó)海關(guān)所提供的臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金，按終裁所確定的征收反補(bǔ)貼稅的商品范圍和反補(bǔ)貼稅稅率計(jì)征并轉(zhuǎn)為反補(bǔ)貼稅，并按相應(yīng)的增值稅稅率計(jì)征進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅。在此期間有關(guān)進(jìn)口經(jīng)營(yíng)者所提供的臨時(shí)反補(bǔ)貼稅保證金超出反補(bǔ)貼稅的部分，以及由此多征的進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅部分，海關(guān)予以退還，少征部分則不再征收。

　　對(duì)實(shí)施臨時(shí)反補(bǔ)貼措施決定公告之日前進(jìn)口的原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅不再追溯征收反補(bǔ)貼稅。

　　六、征收反補(bǔ)貼稅的期限

　　對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅征收反補(bǔ)貼稅的實(shí)施期限自2014年1月20日起5年。

　　七、復(fù)審

　　在征收反補(bǔ)貼稅期間，有關(guān)利害關(guān)系方可以根據(jù)《反補(bǔ)貼條例》的相關(guān)規(guī)定，向調(diào)查機(jī)關(guān)書面申請(qǐng)復(fù)審。

　　八、行政復(fù)議和行政訴訟

　　對(duì)本案終裁決定及征收反補(bǔ)貼稅的決定不服的，根據(jù)《反補(bǔ)貼條例》第五十二條的規(guī)定，可以依法申請(qǐng)行政復(fù)議，也可以依法向人民法院提起訴訟。

　　九、本公告自2014年1月20日起執(zhí)行。

附件：   中華人民共和國(guó)商務(wù)部對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的進(jìn)口太陽(yáng)能級(jí)多晶硅反補(bǔ)貼調(diào)查的最終裁定.doc